产品简介

NS系列半导体台阶高度测量仪器可精准测量台阶高度（纳米至1050μm）、表面粗糙度（Ra、Rz等参数）、膜层厚度及应力分布，为材料研发、工艺优化与质量管控提供可靠数据支持。广泛应用于半导体、光伏、MEMS、光学加工等领域。

中图仪器NS系列半导体台阶高度测量仪器是一款专为高精度微观形貌测量设计的超精密接触式仪器，广泛应用于半导体、光伏、MEMS、光学加工等领域。通过2μm金刚石探针与LVDC传感器的协同工作，结合亚埃级分辨率（5 Å）与智能化分析软件，可精准测量台阶高度（纳米至1050μm）、表面粗糙度（Ra、Rz等参数）、膜层厚度及应力分布，为材料研发、工艺优化与质量管控提供可靠数据支持。

NS系列台阶仪实物图：紧凑设计，高效集成

核心优势

1. 超高精度与稳定性

亚埃级分辨率：采用线性可变差动电容传感器（LVDC），重复性达5 Å（330μm量程），确保纳米级数据可靠性。

超低噪声信号采集：集成超精密位移台与标定算法，适应实验室及工业环境，抗振动干扰能力强。

2. 多功能智能测量

多模式覆盖：支持单区域、多区域阵列扫描及3D面扫描，一键生成三维轮廓图，满足复杂形貌分析需求。

SPC统计分析：批量样品数据自动生成趋势图表，助力工艺过程监控与优化。

3. 高效操作与灵活适配

磁吸式快速换针：无需工具即可更换测针（标配2μm金刚石针），支持330μm与1050μm量程自由切换。

双导航光学影像：500万像素高清相机（NS200-D型号）提供正视/斜视双视角，精准定位扫描路径，降低人为误差。

大尺寸兼容性：NS系列半导体台阶高度测量仪器电动X/Y平台（150mm×150mm）搭配8英寸晶圆载物台，适配半导体晶圆、光伏基板等大尺寸样品。

磁吸式测针（330μm量程）：操作便捷，维护高效

行业应用场景

半导体制造：沉积/蚀刻薄膜厚度测量、CMP工艺表面平整度检测、抗蚀剂台阶高度分析。

光伏与显示面板：太阳能涂层膜厚、AMOLED屏微结构、触控面板铜迹线测量。

MEMS与微纳材料：微型传感器形貌表征、柔性电子器件薄膜厚度检测。

科研与高校：材料表面应力分析、微加工工艺研发数据支撑。

部分技术参数

使用环境

相对湿度：湿度 （无凝结）30-40% RH

温度：16-25℃ (每小时温度变化小于2℃)

地面振动：6.35μm/s（1-100Hz）

音频噪音：≤80dB

空气层流：≤0.508 m/s（向下流动）